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不饱和类硅烯H_2CSiNaCl的密度泛函理论研究
作者姓名:李文佐  肖翠平  宫宝安  程建波
作者单位:烟台大学化学生物理工学院,烟台大学化学生物理工学院,烟台大学化学生物理工学院,烟台大学化学生物理工学院 山东烟台264005,山东烟台264005,山东烟台264005,山东烟台264005,吉林大学超分子结构与材料教育部重点实验室,吉林长春130012
基金项目:烟台大学博士基金资助项目(HY05B30),国家自然科学基金资助项目(20473029),吉林大学超分子结构与材料教育部重点实验室开放课题资助项目
摘    要:采用密度泛函理论方法,在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了不饱和类硅烯H2CSiNaCl的结构.结果表明,不饱和类硅烯H2CSiNaCl共有4种平衡构型,其中非平面的p-配合物型构型能量最低,是不饱和类硅烯H2CSiNaCl存在的主要构型.对平衡构型间异构化反应的过渡态进行了计算,求得了转化势垒.计算预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.

关 键 词:不饱和类硅烯H2CSiNaCl  DFT  B3LYP  异构化
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