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| 用选择氧化法制造V形场效应晶体管 | |
| 引用本文： | 石谷彰康,林新明.用选择氧化法制造V形场效应晶体管[J].微纳电子技术,1976(Z1). |
| 作者姓名： | 石谷彰康 林新明 |
| 摘 要： | 本文所述的功率 FET 与以前小信号用的 FET 不同,是一个电流垂直于半导体基片流动的纵向结构器件。其主要优点有:(1)脉冲响应特性好。(2)可以获得 n 型沟道,p 型沟道的互补器件。(3)夹断特性好。(4)输出阻抗低,输入阻抗高。(5)是电压控制器件。笔者所发明的纵形 FET(V 形 FET)是采用选择氧化这一独特的结构做成的。图1示出了 n 型沟道的结构剖面图。这里栅极区域与源电极是用厚的氧化膜分隔开的,因 |
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