| 高效率E类射频功率放大器 |
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| 引用本文： | 郝允群,庄奕琪,李小明.高效率E类射频功率放大器[J].半导体技术,2004,29(2):74-76,79. |
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| 作者姓名： | 郝允群 庄奕琪 李小明 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071 |
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| 摘 要： | 研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法--差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例.由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力.在本文中,用0.6 u m CMOS工艺实现了E类放大器的设计.
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| 关 键 词： | E类功率放大器 差分结构 交叉耦合反馈 |
| 文章编号： | 1003-353(2004)02-0074-03 |
High efficient Class-E RF power amplifier |
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| HAO Yun-qun,ZHUANG Yi-qi,LI Xiao-ming.High efficient Class-E RF power amplifier[J].Semiconductor Technology,2004,29(2):74-76,79. |
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| Authors: | HAO Yun-qun ZHUANG Yi-qi LI Xiao-ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Class-E RF amplifier differential configuration cross coupled feedback |
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