| AIGaN／GaN HEMT高温特性的研究进展 |
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| 引用本文： | 朱修殿,吕长志,鲁小妹,张小玲,张浩,徐立国.AIGaN／GaN HEMT高温特性的研究进展[J].半导体技术,2006,31(1):48-51. |
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| 作者姓名： | 朱修殿 吕长志 鲁小妹 张小玲 张浩 徐立国 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022 |
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| 摘 要： | 回顾了在高温条件下AIGaN／GaN HEMT器件特性的研究进展。发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素，且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特性。最后总结了适合高温下工作的AIGaN／GaN HEMT的改进方法。
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| 关 键 词： | AIGaN／GaN 高电子迁移率晶体管 高温特性 二维电子气 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）01-0048-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-05 |
| 修稿时间： | 2005年5月5日 |
Research Progress on the High Temperature Characteristics of AIGaN/GaN HEMT |
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| Abstract: | The progress on the performance of AIGaN/GaN HEMT under high temperature is reviewed. It was found that the high temperature characteristics of HEMT were affected by the high temperature characteristics of 2DEG, and others factors are the defects of the epitaxy material, substrate, the packaging and so on. In the end, the way of improving the performance under the high temperature was given. |
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| Keywords: | AIGaN/GaN HEMT high temperature characteristics 2DEG |
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