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| 纳米电子学 | |
| 引用本文： | 薛增泉,张琦锋,宋教花,郭等柱,梁学磊,申志勇,陈清,高崧,张耿民,赵兴钰,刘惟敏,彭练矛,吴锦雷,吴全德.纳米电子学[J].半导体学报,2003,24(5):17-21. |
| 作者姓名： | 薛增泉 张琦锋 宋教花 郭等柱 梁学磊 申志勇 陈清 高崧 张耿民 赵兴钰 刘惟敏 彭练矛 吴锦雷 吴全德 |
| 作者单位： | [1]北京大学电子学系，北京100871 [2]中国科学院物理研究所，北京100080 |
| 摘 要： | 在比较三代电子器件的基础上，说明纳电子器件是电子器件发展的新一代，它的主要特征是单电子行为和显的量子效应，与真空电子器件、微电子器件相比，纳电子器件在信号加工中的主要特性有：(1)单电子，(2)保有相位，(3)量子电阻(h／e^2)，(4)量子字节(qubit)，(5)普适电导涨落．电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管，目前纳电子三极管有两种模式：纳米点三极管和碳纳米管三极管，中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性。 |
| 关 键 词： | 纳米电子学 单电子 量子字节 碳纳米管 巴基葱 碳纳米管 |
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