| 基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT |
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| 引用本文： | 薛春来,时文华,姚飞,成步文,王红杰,余金中,王启明.基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT[J].半导体学报,2007,28(4):496-499. |
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| 作者姓名： | 薛春来 时文华 姚飞 成步文 王红杰 余金中 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.
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| 关 键 词： | SiGe HBT 高频 双台面工艺 多指结 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)04-0496-04 |
| 收稿时间： | 9/4/2006 11:00:17 AM |
| 修稿时间： | 2006年9月4日 |
A Multi-Finger Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications |
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| Xue Chunlai,Shi Wenhu,Yao Fei,Cheng Buwen,Wang Hongjie,Yu Jinzhong and Wang Qiming.A Multi-Finger Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(4):496-499. |
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| Authors: | Xue Chunlai Shi Wenhu Yao Fei Cheng Buwen Wang Hongjie Yu Jinzhong and Wang Qiming |
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| Institution: | State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe HBT power double-mesa technology multi-finger |
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