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非晶InGaZnO薄膜晶体管驱动OLED像素电路的仿真研究
引用本文:张丽,许玲,董承远.非晶InGaZnO薄膜晶体管驱动OLED像素电路的仿真研究[J].发光学报,2014,35(10):1264.
作者姓名:张丽  许玲  董承远
作者单位:上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系,上海,200240
基金项目:国家自然科学基金重点项目(61136004)资助
摘    要:为解决非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因其阈值电压漂移而导致的OLED电流衰减的问题,本文研究了基于a-IGZO TFT的有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路的阈值电压补偿问题。利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取后建立的SPICE仿真模型并进行仿真计算,对电压驱动型2T1C和4T1C的像素电路进行稳定性的比较研究,证明了4T1C电路对阈值漂移有非常好的补偿效果,并指出增加存储电容值和驱动TFT的宽长比可有效提高OLED电流的保持能力。

关 键 词:非晶体铟镓锌氧化物  薄膜晶体管  有机发光二极管  像素电路
收稿时间:2014/5/30

Simulation of Amorphous-InGaZnO Thin Film Transistors Driven OLED Pixel Circuit
ZHANG Li , XU Ling , DONG Cheng-yuan.Simulation of Amorphous-InGaZnO Thin Film Transistors Driven OLED Pixel Circuit[J].Chinese Journal of Luminescence,2014,35(10):1264.
Authors:ZHANG Li  XU Ling  DONG Cheng-yuan
Abstract:
Keywords:amorphous-InGaZnO  thin film transistor  organic light-emitting diode  pixel circuit
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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