|
|||||
|
|
| 直立Zn_2GeO_4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究 | |
| 引用本文： | 李婷,方芳,周政,赵海峰,方铉,李金华,楚学影,魏志鹏,房丹.直立Zn_2GeO_4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究[J].发光学报,2014,35(10):1188. |
| 作者姓名： | 李婷 方芳 周政 赵海峰 方铉 李金华 楚学影 魏志鹏 房丹 |
| 作者单位： | 1. 长春理工大学,吉林长春,130022 2. 长春理工大学,吉林长春130022;南昌大学,江西南昌330088 3. 发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春,130033 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61204065, 61205193, 61307045);高等学校博士学科点专项科研基金(20112216120005);吉林省自然科学基金(20121816,201201116,20140520107JH,20140204025GX);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115) 资助项目 |
| 摘 要： | 利用化学气相沉积法(CVD)在表面溅射Au和沉积ZnO籽晶的硅衬底上分别生长高度有序、垂直密布的直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)谱测试手段对所制备样品进行表征和发光特性的研究。所制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒的直径为350~400 nm,高度为10~11μm;室温PL谱观察到3个来源于Zn2GeO4的典型发光峰。最后,对CVD法制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒生长机理进行了分析。该种直立性良好的一维纳米棒材料可以广泛地应用到纳米光电子器件中。 |
| 关 键 词： | CVD 直立 ZnGeO/ZnO纳米棒阵列 发光特性 |
| 收稿时间： | 2014/6/14 |
Preparation and Luminescent Properties of Upright Zn2GeO4/ZnO Nanorod Arrays |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | CVD upright Zn2GeO4/ZnO nanorod luminescence characteristics |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |