| 一种新的反应机制——轻稀土金属薄膜与Si衬底的反应机理研究 |
| |
| 引用本文： | 何杰,许振嘉. 一种新的反应机制——轻稀土金属薄膜与Si衬底的反应机理研究[J]. 物理学报, 1993, 42(10): 1617-1626 |
| |
| 作者姓名： | 何杰 许振嘉 |
| |
| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所,北京100083; (2)中国科学院表面物理国家重点实验室,北京100080 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;北京市中关村地区联合测试中心资助项目 |
| |
| 摘 要： | 以La,Ce为例对轻稀土金属与Si的薄膜反应机理进行了研究。在超高真空(UHV)下,用电子束蒸发制备样品,继之以恒温电阻炉退火,并利用俄歇深度分析、X射线衍射和二次离子质谱等手段对各种等温或等时退火样品进行了分析。发现在200—400℃范围内,轻稀土金属与Si的薄膜反应存在极限,且这一极限不是稳定的化学相。文中提出一种反应模式,并以此导出反应机制,解释了实验结果。关键词：
|
| 关 键 词： | 稀土金属 薄膜 硅衬底 反应机理 |
| 收稿时间： | 1992-12-29 |
A NEW REACTION MECHANISM——THE CONTACT REACTION OF LREM FILMS AND Si SUBSTRATE |
| |
| HE JIE and XU ZHEN-JIA. A NEW REACTION MECHANISM——THE CONTACT REACTION OF LREM FILMS AND Si SUBSTRATE[J]. Acta Physica Sinica, 1993, 42(10): 1617-1626 |
| |
| Authors: | HE JIE and XU ZHEN-JIA |
| |
| Abstract: | Light rare earth metal (LREM,La,Ce)films of 1500? thick were deposited on Si(lOO) substrate at room temperature under UHV condition. And a variety of techniques including AES,XRD and SIMS were used to study the thin film contact reaction between LREM and Si after isothermal annealing in the range of 200-400℃ for different durations. A new thin film contact reaction mechanism was observed. Taking into account the microscopic interfacial reaction, a model was suggested to elucidate this new reaction mechanism.
Keywords： |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
