| 用光电子能谱研究 Si/GaP(Ⅲ)异质界面的价带不连续性 |
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| 引用本文： | 黄春晖,陈平,王迅. 用光电子能谱研究 Si/GaP(Ⅲ)异质界面的价带不连续性[J]. 物理学报, 1993, 42(10): 1654-1660 |
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| 作者姓名： | 黄春晖 陈平 王迅 |
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| 作者单位： | (1)福州大学物理系,福州350002; (2)复旦大学表面物理国家重点实验室,上海200433 |
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| 基金项目： | 复旦大学表面物理国家重点实验室基金;福建省科学基金 |
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| 摘 要： | 介绍在改装的ADES-400型光电子能谱仪上,用Si电子束蒸发的方法生长Si/GaP(Ⅲ)界面的过程,并用光电子能谱原位地分析测量不同条件下生长的Si/GaP(Ⅲ)异质界面的形成状况和价带不连续值△Ev。讨论了△Ev与界面状况和原子能级变化的相互关系,确定了生长有序的突变Si/GaP(Ⅲ)异质界面的条件,得到此时界面的价带不连续值为0.80eV。它与理论计算值基本一致。关键词：
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| 关 键 词： | 异质结 界面 价带 光电子谱法 |
| 收稿时间： | 1992-12-23 |
PHOTOEMISSION STUDY OF VALENCE BAND DISCONTINUITY OF Si/GaP(Ⅲ)HETEROINTERFACE |
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| HUANG CHUN-HUI,CHEN PING and WANG XUN. PHOTOEMISSION STUDY OF VALENCE BAND DISCONTINUITY OF Si/GaP(Ⅲ)HETEROINTERFACE[J]. Acta Physica Sinica, 1993, 42(10): 1654-1660 |
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| Authors: | HUANG CHUN-HUI CHEN PING WANG XUN |
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| Abstract: | The growth procedure of the Si/GaP( Ⅲ )heterointerface with Si electron beam evaporation in an improved ADES-400 photo-electron spectrometer is introduced in this paper. Then the status of formation and valence band discontinuities of Si/GaP(Ⅲ ) heterointerfaces that grown under different conditions are analysed or measured in situ by photoemission. The relation of the ΔEv values with the status of the interface and the shift of atomic core levels is discussed. The growth condition of the abrupt and ordered Si/GaP(Ⅲ)heterointerfaces is determined. The value of valence band discontinuity in this case is 0.80eV. It agrees with theoretical results. |
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