GaN基白光LED的研制与特性 |
| |
引用本文: | 唐英杰,王宇方,杨志坚,张国义. GaN基白光LED的研制与特性[J]. 发光学报, 2001, 22(Z1): 91-94 |
| |
作者姓名: | 唐英杰 王宇方 杨志坚 张国义 |
| |
作者单位: | 北京大学 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金,69876002, |
| |
摘 要: | 本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流20mA时,W-LED轴向亮度为170mcd,显色指数(CRI)达到82,色温(CCT)为7448K,CIE色坐标是(0.296,0.316),接近纯白色(0.33,0.33).随着注入电流的增强,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化.
|
关 键 词: | 发光二极管 白光转换 |
文章编号: | 1000-7032(2001)增-0091-04 |
修稿时间: | 2001-03-17 |
Fabrication and Properties of White Luminescence Conversion LEDs |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | |
本文献已被 万方数据 等数据库收录! |
|