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| GaN发光二极管 | |
| 引用本文： | 翟劲松 ,丁清秀.GaN发光二极管[J].发光学报,1973(4). |
| 作者姓名： | 翟劲松 丁清秀 |
| 摘 要： | 材料制备 用气体输运法在蓝宝石衬底上通过GaCl和NH_3反应而生成GaN。制得的“未渗杂”单晶一般为n型,电子浓度为10~(18)cm~(-3)数量级,迁移率约为130厘米~2伏~(-1)秒~(-1)。看来,施主是氮空位引起的,未渗杂的n型层生长3个小时后,能长成非常厚的GaNn型层。这样长时间生长,目的是为减小蓝宝石衬底和GaN之间的晶格失配引所起的应变。生长中间停顿几次,以便转动衬底,从而改变生长面上方的气流方向。在生 |
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