Pd_2Si的生成对Pd/Si多层膜衍射性能的影响 |
| |
作者姓名: | 殷士龙 王兵 高琛 吴自勤 王晓平 赵特秀 |
| |
作者单位: | 河海大学数理系,中国科学技术大学基础物理中心,中国科学技术大学基础物理中心,中国科学技术大学基础物理中心,中国科学技术大学物理系,中国科学技术大学物理系 南京 210024,合肥 230026,合肥 230026,合肥 230026,合肥 230026,合肥 230026 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金,中国科学技术大学结构分析开放研究实验室科研基金 |
| |
摘 要: | 本文研究了Pd_2Si的生成对周期性Pd/Si多层膜X射线衍射性能的影响。X射线衍射强度的测量数据表明Pd_2Si的生成对长周期多层膜的衍射强度影响不大,但对短周期多层膜衍射强度的影响较大。在引入折射率修正后,我们不仅用单个峰的位置计算了多层膜的周期,而且还用了以两个峰的位置联立消去折射率修正的方法计算了多层膜的周期,前者的误差大于后者。模拟计算的结果说明:均匀Pd_2Si层的生成不足以解释Pd/Si多层膜衍射强度随退火温度的变化,界面的平整化或粗糙化是影响衍射强度的另一个要素。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|