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| 硅单晶缺陷及其控制 | |
| 引用本文： | 卢因诚.硅单晶缺陷及其控制[J].物理,1978(5). |
| 作者姓名： | 卢因诚 |
| 作者单位： | 北京市半导体器件研究所 |
| 摘 要： | 1824年发现了元素硅,1854年首次制得硅晶休1].硅材料大量地应用于半导体器件还是本世纪六十年代的事情.近十几年来,硅单晶成为半导体科学技术领域的主要物质基础. 硅单晶中常见的晶体缺陷有位错、堆垛层错、旋涡缺陷(Swirl)等.一般地说,它们使硅器件性能变坏.譬如,引起杂质的不规则扩散或成为杂质的沉淀核心,从而引起器件反向漏电增大,软击穿、低击穿;对载流子起复合中心和散射中心作用,使少数载流子的寿命和迁移率下降,从而降低器件的放大系数、降低截止频率,增加噪声等等.本文仅就硅单晶中常见的缺陷及其控制问题作一简要地叙述. 一、硅… |
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