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| N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响 | |
| 引用本文： | 吴鼎芬,陈芬扣.N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响[J].半导体学报,1980,1(2):100-106. |
| 作者姓名： | 吴鼎芬 陈芬扣 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (吴鼎芬)，中国科学院上海冶金研究所(陈芬扣) |
| 摘 要： | 用类似液相外延的设备,测定了Ga与 As在450℃至 550℃间在 Au-Ge和 Au-Ge-Ni熔体中的溶解度.发现温度升高,Ga与As的溶解度增加,但由于As的逸损,在熔体中 Ga与As的比例也增大.自Au-Ge的共晶组份起,Au含量的提高和Ni的加入均使Ga和As的溶解度增加.自热力学活度角度讨论了溶解度提高的原因.测定了Au-Ge与Au-Ge-Ni(或Fe、Cr、Co)系统的比接触电阻,并结合溶解度的实验和热力学活度的计算进行了讨论.分析了各组份对欧姆接触比接触电阻的影响. |
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