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| 一种简便有效的多孔硅后处理新方法 | |
| 引用本文： | 熊祖洪,刘小兵,廖良生,袁帅,何钧,周翔,曹先安,丁训民,侯晓远.一种简便有效的多孔硅后处理新方法[J].半导体学报,1998,19(6):458-462. |
| 作者姓名： | 熊祖洪 刘小兵 廖良生 袁帅 何钧 周翔 曹先安 丁训民 侯晓远 |
| 作者单位： | [1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室 [2]长沙电力学院物理系 |
| 摘 要： | 本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ和Ｓｉ３Ｎ４三种提高ＰＳ的ＰＬ强度和稳定性的优质钝化膜 |
| 关 键 词： | 多孔硅 发光器件 全硅基 光电子集成 |
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