首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳工艺研究
引用本文:陈军,闵嘉华,梁小燕,张继军,王东,李辉. 用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳工艺研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(5): 1114-1118
作者姓名:陈军  闵嘉华  梁小燕  张继军  王东  李辉
作者单位:上海大学材料科学与工程学院,上海,200072
基金项目:国家自然科学基金,上海大学研究生创新基金,上海高校优秀青年教师科研专项基金 
摘    要:采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数.研究表明,以乙醇为碳源,坩埚真空退火9 h后,碳源通入量为1.5 mL时,获得了厚度为0.7163 μm,表面粗糙度为4.7 nm,结合力达8.11 kg的碳膜.采用此工艺镀膜的石英坩埚生长CdZnTe晶体后,碳膜附着完好,晶体表面平整光洁,位错密度降低.

关 键 词:CdZnTe晶体  真空镀碳  粗糙度  结合力  位错密度,

Investigation on the Vacuum Carbon Coating Process on Quartz Ampoules for CdZnTe Crystal Growth
CHEN Jun,MIN Jia-hua,LIANG Xiao-yan,ZHANG Ji-jun,WANG Dong,LI Hui. Investigation on the Vacuum Carbon Coating Process on Quartz Ampoules for CdZnTe Crystal Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(5): 1114-1118
Authors:CHEN Jun  MIN Jia-hua  LIANG Xiao-yan  ZHANG Ji-jun  WANG Dong  LI Hui
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号