| 未掺杂SI-InP中缺陷的正电子寿命研究 |
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| 引用本文： | 毛卫东,王少阶,王柱,孙聂枫,孙同年,赵有文.未掺杂SI-InP中缺陷的正电子寿命研究[J].武汉大学学报(理学版),2000,46(5):590-592. |
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| 作者姓名： | 毛卫东 王少阶 王柱 孙聂枫 孙同年 赵有文 |
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| 作者单位： | 1. 武汉大学,物理学系,湖北,武汉,430072
2. 河北半导体研究所,河北,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目!( 695 760 2 0 ) |
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| 摘 要： | 在 10～ 30 0 K的温度范围内 ,测量了用液封直拉法 (L EC)生长的 n- In P经高温退火后形成的未掺杂SI- In P晶体的正电子寿命谱 .用 PATFIT和 MEL T两种技术分析了正电子寿命谱 .常温下的结果表明 ,SI- In P中存在铟空位 VIn或与杂质的复合体缺陷 .观察到在 10～ 2 2 0 K之间正电子的平均寿命 τm 随温度的升高而减小 ,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位 VIn的氢复合体 ;但是在低温下还存在正电子浅捕获态 ,浅捕获中心很可能是反位缺陷 In2 - P ,因此在 2 2 0～ 30 0 K范围内平均寿命τm 随温度的升高而略有上升 .
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| 关 键 词： | 未掺杂SI-InP 正电子寿命 空位-杂质复合体 |
| 修稿时间： | 2000-06-15 |
Positron Lifetime Study of Defects in Undoped SI-InP |
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| MAO Wei-dong,WANG Shao-jie,WANG Zhu,SUN Nie-feng,SUN Tong-nian,ZHAO You-wen.Positron Lifetime Study of Defects in Undoped SI-InP[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2000,46(5):590-592. |
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| Authors: | MAO Wei-dong WANG Shao-jie WANG Zhu SUN Nie-feng SUN Tong-nian ZHAO You-wen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | undoped SI- In P positron lifetime vacancy- impurity complexes |
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