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NiFe/Ag/NiFe纳米结自旋晶体管研究
引用本文:刘保元,荆玉兰,文岐业,张怀武.NiFe/Ag/NiFe纳米结自旋晶体管研究[J].压电与声光,2007,29(1):74-76.
作者姓名:刘保元  荆玉兰  文岐业  张怀武
作者单位:电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川成都,610054
摘    要:利用直流磁控溅射工艺和掩膜技术研制出新型NiFe/Ag/NiFe全金属自旋晶体管试样。该薄膜磁阻系数ΔR/R≥9%,全金属自旋晶体管试样集电极电流变化MC>587%(常温),且其性能随基极Ag层厚度减小而增强。全金属自旋晶体管具有电流放大、存贮及逻辑电路等功能,,有望替代现有的晶体管而应用于半导体大规模集成电路。

关 键 词:自旋晶体管  薄膜  半导体
文章编号:1004-2474(2007)01-0074-03
修稿时间:2005-08-29

Investigation on NiFe/Ag/NiFe Nanometer Junction Spin Transistor
LIU Bao-yu,JING Yu-lan,WEN Qi-ye,ZHANG Huai-wu.Investigation on NiFe/Ag/NiFe Nanometer Junction Spin Transistor[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2007,29(1):74-76.
Authors:LIU Bao-yu  JING Yu-lan  WEN Qi-ye  ZHANG Huai-wu
Institution:Institute of Materials and Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054,China
Abstract:
Keywords:Spin transistor  thin films  semiconductors
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