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| 3c-SiC中深杂质能级的A_1,T_2对称波函数 | |
| 作者姓名： | 范希庆 张德萱 申三国 |
| 作者单位： | 郑州大学物理系(范希庆，张德萱)，郑州大学物理系(申三国) |
| 基金项目： | 河南省科学技术委员会资助的课题 |
| 摘 要： | 本文采用文献[1—4]所发展的在位缺陷势格林函数方法,计算了3c-SiC中深能级的A_1,T_2对称波函数。第一次给出了波函数随杂质态能量E的变化趋势,和电子占据距缺陷中心最近邻的几个壳层的几率。并给出数量级与实验相符的3c-SiC:B的超精细结构常数的理论值。 |
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