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| β′-Gd2(MoO4)3晶体生长中的过冷现象研究 | |
| 作者姓名： | 袁清习 李红军 庄漪 徐军 潘守夔 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;南京大学固体微结构物理国家实验室,南京,210008 |
| 摘 要： | 对电阻加热引上法和感应加热引上法生长β′-Gd2(MoO4)3晶体的实验结果进行了比较,分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况.研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO3的挥发、Gd2(MoO4)3熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关,并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体. |
| 关 键 词： | 电阻加热引上法 感应加热引上法 熔体过冷 组分过冷, |
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