| 磁控溅射气体参数对氧化铟薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 才玺坤,原子健,朱夏明,张兵坡,邱东江,吴惠桢.磁控溅射气体参数对氧化铟薄膜特性的影响[J].人工晶体学报,2011,40(1):17-21. |
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| 作者姓名： | 才玺坤 原子健 朱夏明 张兵坡 邱东江 吴惠桢 |
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| 作者单位： | 浙江大学物理系,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响.X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜晶粒尺寸变大.1 Pa下沉积的氧化铟薄膜具有最大的迁移率和最小的载流子浓度,分别为15.2 cm2/V·s和1.19×1019cm-3.用O2溅射的氧化铟薄膜载流子浓度降至4.39×1013cm-3,在红外区(1.5～5.5μm)的平均透射率为85;,高于Ar溅射的薄膜,这可能是由于O2的加入减少了氧空位,降低了载流子浓度,使得自由载流子对红外光的吸收减弱.
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| 关 键 词： | In2O3 磁控溅射 溅射气压 电学特性 氧空位 |
Effects of Gas Parameters on Properties of In2O3 Thin Films Deposited by Magnetron Sputtering |
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| CAI Xi-kun,YUAN Zi-jian,ZHU Xia-ming,ZHANG Bing-po,QIU Dong-jiang,WU Hui-zhen.Effects of Gas Parameters on Properties of In2O3 Thin Films Deposited by Magnetron Sputtering[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(1):17-21. |
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| Authors: | CAI Xi-kun YUAN Zi-jian ZHU Xia-ming ZHANG Bing-po QIU Dong-jiang WU Hui-zhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | In2O3 |
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