| 化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 李昭宁,王六定,王小冬,席彩萍,沈中元,赵景辉,吴宏景. 化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(1): 48-52 |
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| 作者姓名： | 李昭宁 王六定 王小冬 席彩萍 沈中元 赵景辉 吴宏景 |
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| 作者单位： | 西北工业大学理学院,西安,710129 |
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| 摘 要： | 本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响.结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或P型半导体.纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响.
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| 关 键 词： | 化学掺杂 石墨纳米带 第一性原理, |
First-Principles Study on Chemical-doped Graphene Nanoribbons with Armchair Edges |
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| LI Zhao-ning,WANG Liu-ding,WANG Xiao-dong,XI Cai-ping,SHEN Zhong-yuan,ZHAO Jing-hui,WU Hong-jing. First-Principles Study on Chemical-doped Graphene Nanoribbons with Armchair Edges[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(1): 48-52 |
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| Authors: | LI Zhao-ning WANG Liu-ding WANG Xiao-dong XI Cai-ping SHEN Zhong-yuan ZHAO Jing-hui WU Hong-jing |
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| Keywords: | |
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