| 化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究 |
| |
| 引用本文： | 李昭宁,王六定,王小冬,席彩萍,沈中元,赵景辉,吴宏景.化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2011,40(1):48-52. |
| |
| 作者姓名： | 李昭宁 王六定 王小冬 席彩萍 沈中元 赵景辉 吴宏景 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学理学院,西安,710129 |
| |
| 摘 要： | 本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响.结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或P型半导体.纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响.
|
| 关 键 词： | 化学掺杂 石墨纳米带 第一性原理 |
First-Principles Study on Chemical-doped Graphene Nanoribbons with Armchair Edges |
| |
| LI Zhao-ning,WANG Liu-ding,WANG Xiao-dong,XI Cai-ping,SHEN Zhong-yuan,ZHAO Jing-hui,WU Hong-jing.First-Principles Study on Chemical-doped Graphene Nanoribbons with Armchair Edges[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(1):48-52. |
| |
| Authors: | LI Zhao-ning WANG Liu-ding WANG Xiao-dong XI Cai-ping SHEN Zhong-yuan ZHAO Jing-hui WU Hong-jing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
