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热处理工艺对超声电沉积制备CuInSe2薄膜的影响
引用本文:邹正光,聂小明,龙飞,陈壁滔. 热处理工艺对超声电沉积制备CuInSe2薄膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(1): 119-123
作者姓名:邹正光  聂小明  龙飞  陈壁滔
作者单位:桂林理工大学有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室,桂林,541004
基金项目:国家科技部科技人员服务企业行动项目,国家自然科学基金,广西科学研究与技术开发计划
摘    要:采用三电极系统,在超声辅助下,以Mo薄片为柔性基底制备了CuInSe2(CIS)前驱体薄膜,经热处理得到了具有黄铜矿型晶体结构的CIS薄膜.研究了热处理温度,保温时间和升温速率对CuInSe2薄膜成分、物相及形貌的影响.结果表明:热处理使薄膜物相变得纯净,随着热处理温度的提高、保温时间的延长和升温速率的减慢,结晶度提高.温度过高、时间过长制备的CIS薄膜表面有大颗粒出现以至表面粗糙度增加、颗粒不均匀.

关 键 词:CuInSe2  超声电沉积  热处理温度  保温时间  升温速率,

Influences of Heat Treatment on CuInSe2 Films Prepared by Ultrasounic Electrodeposition
ZOU Zheng-guang,NIE Xiao-ming,LONG Fei,CHEN Bi-tao. Influences of Heat Treatment on CuInSe2 Films Prepared by Ultrasounic Electrodeposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(1): 119-123
Authors:ZOU Zheng-guang  NIE Xiao-ming  LONG Fei  CHEN Bi-tao
Abstract:
Keywords:CuInSe2
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