| CdSe薄膜的制备及性能表征 |
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| 引用本文： | 黄平,李婧,梁建,赵君芙,马淑芳,许并社.CdSe薄膜的制备及性能表征[J].人工晶体学报,2011,40(1):60-65. |
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| 作者姓名： | 黄平 李婧 梁建 赵君芙 马淑芳 许并社 |
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| 作者单位： | 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原,030024;太原理工大学物理系,太原,030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原,030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，山西省高等学校科技项目，山西省回国留学人员科研资助项目，山西省回国留学人员重点资助项目 |
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| 摘 要： | 室温下,以CdSO4H1SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜.采用高分辨x射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外.可见.近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征.结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚.紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应.样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好.适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理.
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| 关 键 词： | 电化学沉积 CdSe薄膜 禁带宽度 沉积电压 |
Preparation and Characterization of CdSe Thin Films |
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| HUANG Ping,LI Jing,LIANG Jian,ZHAO Jun-fu,MA Shu-fang,XU Bing-she.Preparation and Characterization of CdSe Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(1):60-65. |
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| Authors: | HUANG Ping LI Jing LIANG Jian ZHAO Jun-fu MA Shu-fang XU Bing-she |
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