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薄膜厚度对 Mn-W 共掺杂 ZnO 透明导电薄膜性能的影响
引用本文:张化福,刘瑞金,刘汉法. 薄膜厚度对 Mn-W 共掺杂 ZnO 透明导电薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(1): 166-169
作者姓名:张化福  刘瑞金  刘汉法
作者单位:山东理工大学理学院,淄博,255049
摘    要:
利用直流磁控溅射法在低温玻璃衬底上制备了高导电透明的 Mn-W 共掺杂 ZnO(ZMWO)薄膜,并研究了厚度对薄膜结构、光学及电学性能的影响.X 射线衍射结果表明 ZMWO 均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的 c 轴择优取向.薄膜厚度对 ZMWO 薄膜的晶化程度、电阻率和方块电阻有很大影响.当薄膜厚度从97 nm 增大到456 nm 时,ZMWO 薄膜的晶化程度提高,而电阻率和方块电阻减小.当厚度为 456 nm 时,所制备ZMWO 薄膜的电阻率达到最小,其值仅为8.8×10-5 Ω·cm,方块电阻为1.9 Ω/□.所有薄膜样品在可见光区的平均透过率都较高,其值约为89;.当薄膜厚度从97 nm 增大到 456 nm时,光学带隙从3.41 eV增大到3.52 eV.

关 键 词:薄膜厚度  Mn-W共掺杂ZnO  透明导电薄膜  磁控溅射,

Effect of Film Thickness on the Properties of Transparent Conductive Mn-W Co-doped Zinc Oxide Films
ZHANG Hua-fu,LIU Rui-jin,LIU Han-fa. Effect of Film Thickness on the Properties of Transparent Conductive Mn-W Co-doped Zinc Oxide Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(1): 166-169
Authors:ZHANG Hua-fu  LIU Rui-jin  LIU Han-fa
Abstract:
Keywords:
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