| 非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析 |
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| 引用本文： | 林揆训,林璇英,梁厚蕴,池凌飞,余楚迎,黄创君. 非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析[J]. 物理学报, 2002, 51(4): 863-866 |
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| 作者姓名： | 林揆训 林璇英 梁厚蕴 池凌飞 余楚迎 黄创君 |
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| 作者单位： | 林揆训（汕头大学物理系,汕头,515063） 林璇英（汕头大学物理系,汕头,515063） 梁厚蕴（汕头大学物理系,汕头,515063） 池凌飞（汕头大学物理系,汕头,515063） 余楚迎（汕头大学物理系,汕头,515063） 黄创君（汕头大学物理系,汕头,515063） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028208)资助的课题. |
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| 摘 要： | 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相, 非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象;退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为1.5μm.
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| 关 键 词： | 固相晶化 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 |
| 修稿时间： | 2001-04-07 |
Rapid crystallization of a-Si films at low temperatures and structure analyses of the crystallized films* |
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