| Li_8SiN_4-Li_3N-BN体系中立方BN转化行为的研究 |
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| 引用本文： | 马贤锋,阎学伟,周艳平,崔硕景.Li_8SiN_4-Li_3N-BN体系中立方BN转化行为的研究[J].中国科学B辑,1996(5). |
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| 作者姓名： | 马贤锋 阎学伟 周艳平 崔硕景 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春应用化学研究所，中国科学院长春应用化学研究所，中国科学院长春应用化学研究所，中国科学院长春应用化学研究所 长春 130022，长春 130022，长春 130022，长春 130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了高温高压下x·Li_8SiN_4-0.1(1-x)·Li_3N-0.9(1-x)·BN体系中立方氮化硼(cBN)的转化行为。Li_8SiN_4的存在可显著改善cBN晶体的发育,提高晶体质量。在4.2～5.5GPa,1340～1750℃范围内确定了x=4.8％时体系的cBN转化区,并对转化区内cBN转化率、平均生长速度、成核速度及破碎强度与转化温度和压力的关系进行了研究。
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| 关 键 词： | 高温高压 Li_8SiN_4-Li_3N-BN 立方氮化硼 晶体发育 转化区 转化规律 |
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