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国产GaAlAs激光器的超高频调制特性
引用本文:詹玉书,许宝西,许长存,蔡德芳,过已吉.国产GaAlAs激光器的超高频调制特性[J].量子电子学报,1986(3).
作者姓名:詹玉书  许宝西  许长存  蔡德芳  过已吉
作者单位:西北电讯工程学院五系激光教研室 (詹玉书,许宝西,许长存,蔡德芳),西北电讯工程学院五系激光教研室(过已吉)
基金项目:电子工业部基础技术研究基金
摘    要:本文对国产GaAlAs半导体激光器的超高频调制特性进行了实验研究和理论分析。发现国产GaAlAs激光器调制带宽和国外先进水平相比有较大差距。通过理论分析,弄清了限制国产半导体激光器调制带宽的主要因素。找到了提高国产半导体激光器调制带宽的有效途径。

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