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脉冲激光沉积原位生长MgB2薄膜的研究
引用本文:余增强,马小柏,聂瑞娟,姚丹,王福仁.脉冲激光沉积原位生长MgB2薄膜的研究[J].低温物理学报,2005,27(Z1):888-892.
作者姓名:余增强  马小柏  聂瑞娟  姚丹  王福仁
作者单位:北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
基金项目:教育部跨世纪优秀人才培养计划
摘    要:文章介绍了我们利用脉冲激光沉积(PLD)方法原位生长MgB2超导薄膜的工作.实验采用两步法的方案:高真空条件下在Al2O3(001)衬底上沉积Mg-B混合物加覆盖Mg层的双层结构,然后将该前驱体在630℃左右的Ar气氛中原位退火,成功制备出了有较好重复性的MgB2超导薄膜,其最高的起始转变温度为36.5K,转变宽度在1K左右.我们认为该方法为进一步研究基于MgB2的多层结构器件提供了一种可行的发展思路.

关 键 词:MgB2薄膜  脉冲激光沉积  原位生长
修稿时间:2005年3月30日

THE STUDY OF IN-SITU GROWTH OF MgB2 FILMS PREPARED BY PULSED LASER DEPOSITION
YU ZENG-QIANG,MA XIAO-BAI,NIE RUI-JUAN,YAO DAN,WANG FU-REN.THE STUDY OF IN-SITU GROWTH OF MgB2 FILMS PREPARED BY PULSED LASER DEPOSITION[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2005,27(Z1):888-892.
Authors:YU ZENG-QIANG  MA XIAO-BAI  NIE RUI-JUAN  YAO DAN  WANG FU-REN
Abstract:
Keywords:
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