| 通用二维半导体器件模拟软件的设计 |
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| 引用本文： | 贡顶,王建国,张殿辉,张相华,韩峰,童长江,张茂钰. 通用二维半导体器件模拟软件的设计[J]. 计算物理, 2007, 24(2): 247-252 |
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| 作者姓名： | 贡顶 王建国 张殿辉 张相华 韩峰 童长江 张茂钰 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所五室,陕西,西安,710024;西北核技术研究所五室,陕西,西安,710024;西安交通大学电子与信息工程学院,陕西,西安,710049 |
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| 基金项目： | 国家高技术计划863-803资助项目 |
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| 摘 要： | 介绍自行研制的通用二维半导体器件模拟软件CSS,该软件的求解器同时实现了漂移扩散模型和流体动力学模型,可对多种材料、不同结构的器件进行稳态和瞬态计算.作为算例,应用该软件对NPN三极管和MESFET管进行了数值模拟,给出了Ⅳ曲线、电子密度分布和温度变化等.
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| 关 键 词： | TCAD 半导体数值模拟 流体力学模型 漂移扩散模型 |
| 文章编号： | 1001-246X（2007）02-0247-06 |
| 收稿时间： | 2005-12-01 |
| 修稿时间： | 2006-05-09 |
A General-purpose Two-dimensional Semiconductor Simulator |
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| GONG Ding,WANG Jianguo,ZHANG Dianhui,ZHANG Xianghua,HAN Feng,TONG Changjiang,ZHANG Maoyu. A General-purpose Two-dimensional Semiconductor Simulator[J]. Chinese Journal of Computational Physics, 2007, 24(2): 247-252 |
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| Authors: | GONG Ding WANG Jianguo ZHANG Dianhui ZHANG Xianghua HAN Feng TONG Changjiang ZHANG Maoyu |
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| Abstract: | We develop a general-purpose two-dimensional semiconductor simulator(GSS),by which the drift-diffusion model and hydrodynamic model are calculated.It calculates steady-state and transient responses of the devices with different materials structures and is applied to an NPN transistor and MESFET.IV curves,electron density distribution and temperature variation are obtained. |
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| Keywords: | TCAD semiconductor device simulation hydrodynamic model drift-diffusion model |
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