| HL—1装置的真空壁条件 |
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| 引用本文： | 严东海 朱毓坤. HL—1装置的真空壁条件[J]. 核聚变与等离子体物理, 1989, 9(2): 98-101 |
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| 作者姓名： | 严东海 朱毓坤 |
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| 作者单位： | 核工业西南物理研究院，核工业西南物理研究院，核工业西南物理研究院，核工业西南物理研究院，核工业西南物理研究院，核工业西南物理研究院 四川 乐山，四川 乐山，四川 乐山，四川 乐山，四川 乐山，四川 乐山 |
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| 摘 要： | 本文总结了HL=1装置在1984—1987年度运行期间的真空壁条件,等离子体环电压与杂质百分浓度的关系;并估算了GH39金属孔栏,G3石墨孔栏和蒸钛条件下等离子体中的碳、氧杂质的平均密度。真空室的主要杂质气体的总压强从1984年的5.3×10~(-5)Pa降到1987年的1.1×10~(-5)Pa。仅当本底真空p_o≤1.3×10~(-5)Pa,H_2O组份的百分浓度PH_2O/PH_2≤5％时,才能满足正常托卡马克放由要求的壁初开始条件。
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| 关 键 词： | HL－1装置 真空条件 等离子体 |
VACUUMWALL CONDITIONING IN THE HL-1 TOKAMAK |
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| YAN Donghai ZHU Yukun SUN Shouqi ZHANG Meiyan WANG Minxu FU Weidong. VACUUMWALL CONDITIONING IN THE HL-1 TOKAMAK[J]. Nuclear Fusion and Plasma Physics, 1989, 9(2): 98-101 |
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| Authors: | YAN Donghai ZHU Yukun SUN Shouqi ZHANG Meiyan WANG Minxu FU Weidong |
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| Keywords: | Vacuum-wall conditioning Percent concentration. |
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