| PZT/LaNiO3/MgO多层结构制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 张洪伟,张树人,黄文,刘敬松,杨成韬.PZT/LaNiO3/MgO多层结构制备及性能研究[J].压电与声光,2007,29(5):586-588. |
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| 作者姓名： | 张洪伟 张树人 黄文 刘敬松 杨成韬 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。
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| 关 键 词： | 锆钛酸铅(PZT) 激光脉冲沉积 射频磁控溅射 退火 |
| 文章编号： | 1004-2474（2007）05-0586-03 |
| 修稿时间： | 2006-06-19 |
Study on PZT/LaNiO3/MgO Heterostructures and Its Properties |
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| ZHANG Hong-wei,ZHANG Shu-ren,HUANG Wen,LIU Jing-song,YANG Cheng-tao.Study on PZT/LaNiO3/MgO Heterostructures and Its Properties[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2007,29(5):586-588. |
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| Authors: | ZHANG Hong-wei ZHANG Shu-ren HUANG Wen LIU Jing-song YANG Cheng-tao |
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| Institution: | State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LaNiO3 |
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