| 应用于深紫外波段的AlGaN光电探测器研究 |
| |
| 引用本文： | 孙晓娟.应用于深紫外波段的AlGaN光电探测器研究[J].光机电信息,2008,25(12). |
| |
| 作者姓名： | 孙晓娟 |
| |
| 摘 要： | 本文报道了肖特基二极管深紫外光电探测器的制备.此器件制作在GaN外延层上,其中外延层利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)的方法生长在4in的Si(111)片上.利用光谱响应度测量法确定GaN的截止波长在近紫外波段(200～400 nm);在紫外波段(5～20 nm),利用位于Berliner Elektronen speicherring-Gesellschaft ftir Synchrotronstrahlung (BESSY)的PhysikalischTechnische Bundesanstah(PTB)设备完成了绝对光谱响应度测量与同步加速器辐射.此工作是在欧洲空间局(ESA)支持的盲区太阳探测器项目框架下完成的.
|
| 关 键 词： | 紫外光电探测器 AlGaN 紫外波段 金属有机化学汽相沉积 绝对光谱响应度 Si（111） 同步加速器辐射 应用 |
Photo-detectors for Applications in the Extreme Ultraviolet (EUV) Wavelength Range |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
