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| 克里岑效应的理论解释 | |
| 引用本文： | 于淥.克里岑效应的理论解释[J].大学物理,1982(12). |
| 作者姓名： | 于淥 |
| 作者单位： | 中国科学院理论物理所 |
| 摘 要： | 有关准二维电子气中量子化霍耳效应的基本实验事实,前文已作介绍。如何解释这一现象呢?许多人都作了尝试,但看法还不完全一致。这里介绍一种比较普遍接受的说法。 在垂直方向的磁场中,电子的二维运动量子化,相应的朗道能级是H是磁场强度,m是有效质量。没有外电场时,朗道能级是简并的,其简并度 NL=eH/h。可以证明,在强磁场下,即wcτ>>1(τ是弛豫时间),霍耳电导率用NL的表达式代入(2)式即得 以上的讨论说明强磁场下霍耳电导率与杂质散射无关,但不能解释平台效应,即朗道能级占有数。在一定范围(最大竟达9590!)时,σxy仍是e2/h的整倍数。实际… |
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