| CH3 CSNH2/NH4 OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器 |
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| 引用本文： | 刘延祥,唐绍裘,夏冠群,程宗权,郑燕兰.CH3 CSNH2/NH4 OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
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| 作者姓名： | 刘延祥 唐绍裘 夏冠群 程宗权 郑燕兰 |
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| 摘 要： | 引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.
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| 关 键 词： | CH3CSNH2/NH4OH GaInAsSb 钝化 GaInAsSb GaSb 红外探测器 Passivation Photodetectors 分析 材料 溶液 效果 动态电阻 电流降 钝化处理 表面 化合物 低毒 |
CH3CSNH2/NH4OH Passivation on GaInAsSb/GaSb PIN Infrared Photodetectors |
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| Liu Yanxiang,Tang Shaoqiu,Xia Guanqun,Cheng Zongquan,Zheng Yanlan.CH3CSNH2/NH4OH Passivation on GaInAsSb/GaSb PIN Infrared Photodetectors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
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| Authors: | Liu Yanxiang Tang Shaoqiu Xia Guanqun Cheng Zongquan Zheng Yanlan |
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