| Mg+注入对GaN晶体辐射损伤的研究 |
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| 引用本文： | 蒙康,姜森林,侯利娜,李蝉,王坤,丁志博,姚淑德.Mg+注入对GaN晶体辐射损伤的研究[J].物理学报,2006,55(5). |
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| 作者姓名： | 蒙康 姜森林 侯利娜 李蝉 王坤 丁志博 姚淑德 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;北京大学校科研和校改项目 |
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| 摘 要： | 在蓝宝石衬底上通过金属有机物化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法外延生长的GaN薄膜具有良好的结晶品质,xmin达到2.00%.结合卢瑟福背散射/沟道(Rutherford backscattering/channeling,RBS/C)和高分辨X射线衍射(high-resolution X-ray diffraction,HXRD)的实验测量,研究了不同剂量和不同角度Mg+注入GaN所造成的辐射损伤.实验结果表明,随注入剂量的增大,晶体的辐射损伤也增大,注入剂量在1×1015atom/cm2以下,xmix小于4.78%,1×1016atom/cm2是Mg+注入GaN的剂量阈值,超过这个阈值,结晶品质急剧变差,xmin达到29.5%;随机注入比沟道注入的辐射损伤大,且在一定范围内随注入角度的增大,损伤也增大,在4×1015atom/cm2剂量下偏离〈0001〉沟道0°,4°,6°,9°时的xmin(%)分别为6.28,8.46,10.06,10.85;经过700℃/10min+1050℃/20s两步退火和1000℃/30s高温快速退火后,晶体的辐射损伤都有一定程度的恢复,而且1000℃/30s高温快速退火的效果更好,晶体的辐射损伤可以得到更好的恢复.
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| 关 键 词： | 卢瑟福被散射/沟道 高分辨X射线衍射 辐射损伤 |
Study of radiation damage in Mg + -implanted GaN |
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| Meng Kang,Jiang Sen-Lin,Hou Li-Na,Li Chan,Wang Kun,Ding Zhi-Bo,Yao Shu-De.Study of radiation damage in Mg + -implanted GaN[J].Acta Physica Sinica,2006,55(5). |
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| Authors: | Meng Kang Jiang Sen-Lin Hou Li-Na Li Chan Wang Kun Ding Zhi-Bo Yao Shu-De |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN |
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