| 蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 王剑屏,郝跃,彭军,朱作云,张永华. 蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究[J]. 物理学报, 2002, 51(8): 1793-1797 |
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| 作者姓名： | 王剑屏 郝跃 彭军 朱作云 张永华 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071 |
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| 摘 要： | 报道了在蓝宝石(αAl2O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究.通过引入ⅢⅤ族氮化物为中间的缓冲层,在C(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜,经过四晶衍射分析,分别在3549°和7502°发现了6HSiC(0006)面和(00012)晶面族的对称衍射峰,显示SiC薄膜的晶体取向与(0001)面的衬底是相同的.扫描电子显微镜(SEM)的观察显示薄膜表面连续、光滑,不要利用二次离子质谱仪(SIMS)方法对生长膜层在纵关键词：碳化硅外延生长化学汽相淀积
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| 关 键 词： | 碳化硅 外延生长 化学汽相淀积 |
| 收稿时间： | 2001-11-12 |
| 修稿时间： | 2001-11-12 |
XRD and SIMS analysis of single crystal SiC films grown on sapphire |
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| Wang Jian-Ping,Hao Yue,Peng Jun,Zhu Zuo-Yun and Zhang Yong-Hua. XRD and SIMS analysis of single crystal SiC films grown on sapphire[J]. Acta Physica Sinica, 2002, 51(8): 1793-1797 |
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| Authors: | Wang Jian-Ping Hao Yue Peng Jun Zhu Zuo-Yun Zhang Yong-Hua |
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| Abstract: |
Keywords： |
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| Keywords: | silicon carbide epitaxy single crystal CVD |
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