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| InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长 | |
| 作者姓名： | 王旭 王海珠 张彬 王曲惠 范杰 邹永刚 马晓辉 |
| 作者单位： | 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春 130022 |
| 摘 要： | 利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究.针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,设计了GaAsP应变补偿层结构;通过理论模拟与实验相结合的方式,调控了GaAsP材料体系中的P组分,设计了P组分分别为0,0.128,0.184,0.257的三周期InxGa1-... |
| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAsP 应变补偿 多量子阱 晶格失配 |
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