| 808 nm半导体激光芯片波导优化与效率特性分析 |
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| 作者单位： | 中国科学院大学,北京100049;中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西西安710119;中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西西安710119;陕西省计量科学研究院,陕西西安710100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;陕西省自然科学基金;陕西省自然科学基金;陕西省自然科学基金;陕西省科技厅人才项目 |
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| 摘 要： | 对808 nm的InAlGaAs/AlGaAs半导体激光器芯片的波导厚度进行了优化,研究发现N波导与P波导厚度比值为1.8时芯片电光转换效率最高。基于上述高效率芯片研制出Chip-on-submount(COS)单管和光纤芯径62.5μm、数值孔径0.22的光纤耦合模块,并研究了两种器件在-10～90℃范围内的效率特性。结果显示,温度由-10℃升高到90℃,COS单管的载流子泄漏占比由1.18%增加到16.67%,光纤耦合模块的载流子泄漏占比由1.99%增加到17.73%,表明温升引起的载流子泄漏加剧是导致电光转换效率降低的主要因素。此外,还研究了高温老炼、热真空、空间辐照对光纤耦合模块电光转换效率的影响,并揭示了导致器件电光转换效率降低的内在因素。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 光纤耦合模块 光功率 电光转换效率 |
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