SiO2图形化蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响 |
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作者单位: | 厦门大学 材料学院,福建 厦门 361000;福建中晶科技有限公司,福建 龙岩 364000 |
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基金项目: | 厦门大学与福建中晶科技有限公司合作项目 |
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摘 要: | 为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO_2薄膜,经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO_2图形化蓝宝石衬底(SiO_2 patterned sapphire substrate, SPSS),利用LED器件的外延生长和微纳加工技术获得了基于SPSS的GaN基LED器件。通过分析GaN外延层晶体质量、光提取效率和LED器件性能,重点研究了SPSS对GaN生长及LED发光性能的影响。实验及模拟仿真结果表明,与常规图形化蓝宝石衬底(Conventional patterned sapphire substrate, CPSS)相比,SPSS上生长的GaN外延层位错密度较低,晶体质量较高,SPSS-LED的光提取效率提高26%、光输出功率和亮度均提高约5%。
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关 键 词: | SiO2蓝宝石复合衬底 LED芯片 位错密度 GaN 光提取效率 |
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