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| 高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化 | |
| 作者姓名： | 杜宇琦 王贞福 张晓颖 杨国文 李特 刘育衔 李波 常奕栋 赵宇亮 兰宇 |
| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西 西安 710119;中国科学院大学, 北京 100049;中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西 西安 710119;陕西省计量科学研究院, 陕西 西安 710100 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;陕西省自然科学基金;陕西省自然科学基金;陕西省自然科学基金;陕西省科技厅人才项目 |
| 摘 要： | 针对高功率半导体激光芯片工作温度升高易引起芯片性能退化和失效问题,首先理论分析了工作温度对内量子效率的影响机理.其次,为量化温度影响芯片稳定性的主要因素,自主搭建高功率半导体激光列阵芯片测试系统,研究15～60℃半导体激光列阵芯片的温度特性,分析了5种能量损耗分布及其随温度的变化趋势.实验结果表明,当温度由15℃升高至... |
| 关 键 词： | 高功率 半导体激光列阵芯片 高温特性 能量损耗分布 |
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