| 基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列 |
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| 引用本文： | 谭毅,庄永漳,卢子元,张晓东,赵德胜,蔡勇,曾中明,张宝顺.基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列[J].发光学报,2021,42(2):215-222. |
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| 作者姓名： | 谭毅 庄永漳 卢子元 张晓东 赵德胜 蔡勇 曾中明 张宝顺 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院,安徽 合肥 230026;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 多功能材料与轻巧系统重点实验室,江苏 苏州 215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 多功能材料与轻巧系统重点实验室,江苏 苏州 215123 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;微波毫米波单片集成;模块电路重点实验室的开放项目 |
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| 摘 要： | 采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能.实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器...
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| 关 键 词： | 蓝光Micro-LED 离子注入隔离 氮化镓 横向结构 高光功率密度 |
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