二维WSe2场效应晶体管光电性能 |
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引用本文: | 夏风梁,石凯熙,赵东旭,王云鹏,范翊,李金华.二维WSe2场效应晶体管光电性能[J].发光学报,2021,42(2):257-263. |
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作者姓名: | 夏风梁 石凯熙 赵东旭 王云鹏 范翊 李金华 |
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作者单位: | 长春理工大学 理学院,吉林 长春 130022;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室,吉林 长春 130033 |
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基金项目: | 高等学校学科创新引智计划计划);吉林省科技发展计划;吉林省科技发展计划;吉林省科技发展计划 |
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摘 要: | 自石墨烯被发现以来,随着人们不断的研究和探索,越来越多具有类似结构的二维材料因其优异的光电性质相继被发现和研究.过渡金属硫族化合物(TMDs)因其丰富的物理性质而受到广泛关注.本文研究了三层二硒化钨(WSe2)纳米片的光电性能.利用范德华力将WSe2转移到SiO2/Si衬底的Au电极上,用银浆引出背栅电极,制备了WSe...
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关 键 词: | 二维半导体材料 过渡金属硫族化物 二硒化钨 光电探测 |
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