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| 940nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备 | |
| 引用本文： | 术玲,海一娜,邹永刚,范杰,王傲.940nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备[J].发光学报,2021,42(2):223-230. |
| 作者姓名： | 术玲 海一娜 邹永刚 范杰 王傲 |
| 作者单位： | 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春 130022 |
| 基金项目： | 吉林省科技发展计划;吉林省科技发展计划;吉林省教育厅十三五科学技术项目 |
| 摘 要： | 水平谐振腔面发射分布反馈(Surface emitting distributed feedback,SE-DFB)半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注.本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数(形状、周期、占空比、刻蚀深度等)对激光器发光特性(线宽、边模抑制比... |
| 关 键 词： | 面发射分布反馈(SE-DFB)半导体激光器 二阶光栅 光栅形貌 耦合因子 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |