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| SOS膜横断面的电子显微镜研究 | |
| 引用本文： | 陈庆贵,孙克怡,蔡希介,史日华.SOS膜横断面的电子显微镜研究[J].半导体技术,1985(5). |
| 作者姓名： | 陈庆贵 孙克怡 蔡希介 史日华 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (陈庆贵，孙克怡，蔡希介)，中国科学院上海冶金研究所(史日华) |
| 摘 要： | 本文叙述用高温氢退火处理提高SoS膜的结晶质量的实验结.SOS膜的光吸收因子F_A值在氢退火温度920～1020℃,4.5小时下可下降20～30%,达到126×10~6cm~(-2).SOS膜横断面电镜观察证明,SOS膜结晶质量的改善是与界面附近微孪晶、层错等缺陷的减少有关. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |