| 肖特基势垒二极管SiO2-Si3N4复合钝化膜研究 |
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| 引用本文： | 石霞,孙俊峰,顾晓春.肖特基势垒二极管SiO2-Si3N4复合钝化膜研究[J].半导体技术,2010,35(4):344-348. |
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| 作者姓名： | 石霞 孙俊峰 顾晓春 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO_2和LPCVD Si_3N_4膜的介电强度E、介电常数ε_r、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以及片内均匀性等性能。研究了PECVD SiO_2膜的增密技术。提出了一种应力小、漏电流小且抗辐照能力较好的PECVD SiO_2/LPCVD Si_3N_4复合介质膜钝化工艺方法和技术条件,提高了肖特基势垒二极管的性能。
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| 关 键 词： | SiO2-Si3N4复合介质膜 钝化技术 漏电流 应力 增密 |
Study on the SiO2-Si3N4 Composite Passivation Films of Schottky Barrier Diode |
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| Shi Xia,Sun Junfeng,Gu Xiaochun.Study on the SiO2-Si3N4 Composite Passivation Films of Schottky Barrier Diode[J].Semiconductor Technology,2010,35(4):344-348. |
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| Authors: | Shi Xia Sun Junfeng Gu Xiaochun |
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| Institution: | Nanjing Electronic Devices Institute;Nanjing;210016;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiO_2-Si_3N_4 composite films passivation technique current leakage stress density increase |
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