Analysis of the effect of the temperature variation on transistor parameters and gain

The variations of the hybridh-parameters and the gain of the transistor with temperature have been studied by obtaining an analytical expression. The values of theh-parameters are calculated in the entire temperature range 213–473 K with the help of the expression obtained and the calculated values are in good agreement with the experimental data. The gain of the transistor extracted from the obtained values of the parameters is seen to be in excellent agreement with the experimental values.

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Zusammenfassung Die Änderung des Hybrid-Parameters und die Verstärkung des Transistors mit der Temperatur wurden untersucht, indem ein analytischer Ausdruck hierfür erhalten worden ist. Die Werte derh-Parameter wurden im ganzen Temperaturbereich von 213 bis 473 K mit Hilfe des erhaltenen Ausdrucks berechnet und die berechneten Angaben sind in guter Übereinstimmung mit den Versuchsergebnissen. Die aus den erhaltenen Parameterwerten errechnete Transistorverstärkung stimmt mit den Versuchswerten sehr gut überein.

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Résumé On a étudié, à l'aide d'une expression analytique obtenue pour le but poursuivi, la variation des paramètresh hybrides et l'amplification du transistor avec la température. On a calculé, à l'aide de cette expression, les paramètresh dans tout l'intervalle des températures comprises entre 213 et 473 K. Les valeurs calculées sont en bon accord avec les données d'expériences. L'amplification du transistor, calculée à partir des valeurs obtenues, est en excellent accord avec les valeurs d'expériences.

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h- . h 213–473 . , , , .

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Ex-student (M.Sc.) of Department of Physica, R.E.C. Waranga-506004, India.

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The work was done in the Department of Physica, R.E.C. Warangal-506004, India.

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The authors wish to express their thanks to Dr. V. V. Rao and Dr. G. S. Verma for their interest in the present project. One of us (K.S.D.) is also grateful to Dr. R. A. Rashid and Dr. R. H. Misho.