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| Pt/PZT铁电薄膜结晶性能与界面结构研究 | |
| 作者单位： | ;1.电子科技大学微电子与固体电子学院;2.西南民族大学化学与环境保护工程学院 |
| 摘 要： | 锆钛酸铅Pb(ZrxTi1-x)O3,PZT]薄膜具有优异的铁电性能,其中以(111)取向的PZT薄膜铁电性能更优异。目前对影响PZT薄膜取向生长的因素还未完全研究清楚,而PZT薄膜制备中,薄膜的择优取向生长控制是薄膜制备工艺的难点。采用TEM观察界面微观结构,利用高斯软件在TPSS/def2-TZVP水平下计算优化出PbxPt团簇分子的结构,发现界面层上形成的这类分子属于量子点范畴,结构上与PZT薄膜(111)晶面取向相似。提出高温退火生成的大量PbxPt团簇分子是(111)晶面取向生长的"诱导剂",控制界面层这种物质的生成和扩散可以控制PZT薄膜(111)取向生长。 |
| 关 键 词： | PZT薄膜 取向生长 高斯软件 团簇分子 界面结构 量子点 |
Crystallization properties and interface structure of Pt/PZT ferroelectric thin films |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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